拓撲絕緣體中的自旋劈裂.pdf

1、Bi2Se3作為第二代三維強拓撲絕緣體，是目前的研究焦點。它具有非常強的自旋軌道耦合作用，在塊體能帶中形成反轉帶隙，而在表面或界面上則形成受時間反演對稱性保護的金屬態(tài)。在拓撲表面態(tài)中的電子具有Dirac準粒子行為，其自旋和動量方向是鎖定的。這些前所未有的性質，不僅具有重大和深刻的科學意義，而且在自旋電子學和量子計算等方面具有巨大和獨特的應用價值。最近的一系列實驗證實在Bi2Se3表面上吸附Rb或CO等原子或分子時，會產生顯著的Rashb

2、a效應；所觀察到的Rashba自旋劈裂比傳統(tǒng)半導體中的大一到兩個數(shù)量級，引起高度關注。此為自旋電子器件在室溫下的運行和小型化帶來很大的希望。因為基于普通半導體的自旋場效應管中，Rashba效應一般很微弱，給器件的室溫運行和小型化帶來很大困難。
　　在本學位論文中，我們提出了兩個方案來調制和加強Rashba效應。其一是通過在Bi2Se3薄膜表面上吸附鉛層或者鉛原子；其二是通過外加電場來調制Bi2Se3薄膜中的Rashba效應。論文的

3、內容如下：
　　基于密度泛函理論的第一性原理計算(考慮自旋軌道耦合)，我們發(fā)現(xiàn)吸附在Bi2Se3薄膜上的鉛層引起了量子阱態(tài)的Rashba自旋劈裂。因鉛層的厚度變化產生的量子尺寸效應使得鉛層與Bi2Se3薄膜之間的距離，界面處的電荷密度和鉛層內部的鍵長都發(fā)生振蕩。這些變化可以調制Bi2Se3薄膜量子阱態(tài)中的Rashba自旋劈裂的大小。實驗上預言在拓撲絕緣體和超導體的異質結構中可以發(fā)現(xiàn)Majorana fermions，且實驗上在鉛層

4、中觀測到了超導性，故我們的結果對設計拓撲絕緣體—超導體異質結是有益的指導。另外，當在Bi2Se3薄膜上吸附鉛原子，可以在點附近量子阱態(tài)中引起Rashba分裂；同時在高對稱點處也會出現(xiàn)表面態(tài)的Rashba劈裂，且Rashba劈裂的系數(shù)比較大。計算表明吸附鉛原子的覆蓋率會對以上的Rashba劈裂產生比較大的影響。
　　基于考慮范德瓦耳斯力和自旋軌道耦合的第一性原理計算，我們研究了拓撲絕緣體Bi2Se3薄膜在外加電場下產生的自旋劈裂。由