壓接型IGBT串聯(lián)技術(shù)研究.pdf

1、在壓接型IGBT（Insulation Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）串聯(lián)電路中，探求通用性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)單、均壓效果好的均壓措施，設(shè)計(jì)隔離電壓等級(jí)更高的驅(qū)動(dòng)隔離電源，是現(xiàn)階段需要解決的兩個(gè)關(guān)鍵難題。本文通過(guò)理論分析、仿真驗(yàn)證和實(shí)驗(yàn)研究相結(jié)合的方法，對(duì)壓接型IGBT串聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)研究，主要工作如下:
　　1.利用Saber軟件搭建IGBT串聯(lián)仿真電路，結(jié)合理論分析，系統(tǒng)研究了門極驅(qū)動(dòng)電阻和門極

2、驅(qū)動(dòng)信號(hào)等因素對(duì)IGBT串聯(lián)電路均壓的影響，揭示了門極驅(qū)動(dòng)電阻、門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)等因素與IGBT開(kāi)通關(guān)斷階段集電極電壓之間的關(guān)系;
　　2.針對(duì)有源電壓控制法參考電壓波形不易生成且通用性差的現(xiàn)狀，提出了一種自動(dòng)生成參考電壓波形的自適應(yīng)均壓法，在工作1的基礎(chǔ)上，利用Saber軟件搭建了自適應(yīng)均壓電路，仿真結(jié)果表明了自適應(yīng)均壓法具有良好的均壓效果。該方法無(wú)需提前設(shè)置參考電壓波形，通用性強(qiáng)，操作方便，具有良好的應(yīng)用前景;
　　3.設(shè)計(jì)

3、了一款20kV隔離電壓等級(jí)的驅(qū)動(dòng)隔離電源，針對(duì)該電源的多個(gè)參數(shù)探索了更全面的設(shè)計(jì)方法，對(duì)驅(qū)動(dòng)隔離電源進(jìn)行了初步試驗(yàn)驗(yàn)證，試驗(yàn)結(jié)果表明了驅(qū)動(dòng)隔離電源滿足20kV電壓等級(jí)的IGBT串聯(lián)電路的需求;
　　4.針對(duì)10kV壓接型IGBT串聯(lián)型電壓源換流閥進(jìn)行了試驗(yàn)研究，該換流閥應(yīng)用了本文設(shè)計(jì)的自適應(yīng)均壓電路和驅(qū)動(dòng)隔離電源，試驗(yàn)結(jié)果表明，自適應(yīng)均壓電路具有良好的均壓效果，驅(qū)動(dòng)隔離電源可以保證IGBT串聯(lián)型換流閥可靠運(yùn)行，驗(yàn)證了壓接型IGBT