開(kāi)關(guān)電源IC與功率MOS器件的設(shè)計(jì)與研究.pdf

1、隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，電子設(shè)備的種類也越來(lái)越多，對(duì)電源的要求也更加靈活多樣。開(kāi)關(guān)電源核心控制電路的集成化是開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展方向。單片開(kāi)關(guān)電源具有頻率特性好、線性度高、輸出電壓紋波較小等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)在通訊、電力、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
　　 本文借助Hspice和Cadence等EDA設(shè)計(jì)工具設(shè)計(jì)了一種電流模式的PWM控制電路芯片。論文首先從系統(tǒng)的角度分析了電流控制模式PWM的工作原理，再?gòu)碾娐废到y(tǒng)級(jí)

2、上將電路分為控制電路、驅(qū)動(dòng)電路和功率開(kāi)關(guān)管三個(gè)部分，分別對(duì)這三部分進(jìn)行設(shè)計(jì)與仿真，重點(diǎn)研究了其中的核心模塊電路：基準(zhǔn)電壓、PWM比較器、誤差放大器（EA）、振蕩電路、驅(qū)動(dòng)電路和一系列保護(hù)電路。仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源具有較小的溫度系數(shù)，能夠在較寬的電源電壓下正常工作。
　　 電源管理電路都要求功率MOS器件具有良好的開(kāi)關(guān)速度和高效性能，本文針對(duì)功率MOS器件的開(kāi)關(guān)速度設(shè)計(jì)了一種低輸入電容的VDMOS器件。該器件采用與常規(guī)工藝