用于穿戴式設備的納米CMOS低功耗LNA研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、經濟的發(fā)展帶動了物聯(lián)網(wǎng)和移動互聯(lián)網(wǎng)的興起，也帶來了新的發(fā)展熱點。穿戴式設備，在生活智能化這一背景下，形成高速發(fā)展的趨勢。但是，穿戴式設備由于自身特性，電池的容量得到限制。因此，系統(tǒng)自身的功耗問題一直制約穿戴式設備發(fā)展，影響其應用前景。在目前的市場背景下，納米CMOS工藝是穿戴式設備的首選工藝。因此，針對穿戴式設備，使用納米CMOS工藝進行低噪聲放大器的設計，具有重要的意義。
　　本課題基于SMIC55nm CMOS工藝，對適用于低

2、功耗藍牙標準的低噪聲放大器(LNA，Low NoiseAmplifier)進行設計。采用了具有源極電感負反饋的共源極低噪聲放大器，該結構為經典的低噪聲放大器結構?；谠摻Y構，在55nm CMOS這一工藝節(jié)點上，進行了一系列的驗證和優(yōu)化，使得該低噪聲放大器在提供合理增益的同時，噪聲系數(shù)與線性度指標均滿足低功耗藍牙標準的應用需求。針對設計需求，該LNA將匹配網(wǎng)絡全部進行了集成。
　　在Cadence軟件環(huán)境下實現(xiàn)電路的前端設計、版圖設

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