稀土離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料的制備及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、稀土離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料具有良好的物理、化學穩(wěn)定性和優(yōu)異的發(fā)光性能,不易潮解,且對紫外光具有高效的吸收,因而受到人們的廣泛關注,其應用也越來越廣。因此,研究稀土離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料的制備及發(fā)光性能具有重要意義和應用價值。
  本文以稀土離子摻雜的YVO4納米發(fā)光材料為研究對象,摻雜的稀土主要有Eu3+離子,Tm3+離子和Dy3+離子。本文采用一種新的方法–離子交換法制備稀土離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料。離子交換法制

2、備工藝簡單,且在制備出的納米發(fā)光材料中,摻雜的稀土離子大部分吸附在YVO4納米晶體的表面,表面的稀土離子更容易與有機物配體配位,因此,離子交換法在實現(xiàn)無機–有機材料雜化方面有其明顯的優(yōu)勢。本文采用X射線衍射(XRD),光致發(fā)光(PL)譜,透射電子顯微鏡(TEM),紫外-可見(UV-Vis)吸收光譜,傅里葉變換紅外(FTIR)光譜和紫外分析儀等表征手段對稀土離子摻雜YVO4納米發(fā)光材料的晶體結構,微觀形貌與顆粒尺寸,化學性質,發(fā)光性能進行

3、分析。論文包括如下部分。
  采用溶劑熱法合成YVO4納米晶粒,通過離子交換法制備了YVO4:Eu3+納米晶,然后引進2-噻吩甲酰三氟丙酮(TTA)配體形成YVO4:Eu3+–TTA無機–有機雜化納米材料,TTA對YVO4:Eu3+具有很強的敏化效果。實驗結果表明,TTA敏化后的YVO4:Eu3+–TTA雜化納米晶體的發(fā)光強度明顯增強,YVO4:Eu3+–0.1mmol TTA雜化納米晶體的發(fā)光強度最強,其發(fā)光強度大約是YVO4:

4、Eu3+納米晶體發(fā)光強度的14倍。
  采用溶劑熱法合成YVO4:Eu3+納米晶粒并進行退火,以這些納米晶粒為核芯采用溶劑熱法在其表面生長一層新YVO4殼,然后通過離子交換工藝將Eu3+離子摻入到該YVO4殼中形成YVO4:Eu3+@YVO4:Eu3+核–殼納米結構晶體。引進TTA配體形成YVO4:Eu3+@YVO4:Eu3+–TTA無機–有機雜化納米材料,TTA對殼層YVO4:Eu3+產(chǎn)生很強的敏化效果。實驗結果表明,這種具有核

5、–殼納米結構的YVO4:Eu3+@YVO4:Eu3+–TTA無機–有機雜化納米材料不僅具有很強的發(fā)光強度,而且具有更寬的激發(fā)譜。其寬激發(fā)譜使YVO4:Eu3+@YVO4:Eu3+–TTA能夠吸收更多光能,從而提高其發(fā)光效率。
  離子交換法制備出的YVO4:Eu3+納米晶體具有明顯的紅光發(fā)射,YVO4:Tm3+納米晶體具有明顯的藍光發(fā)射,YVO4:Dy3+納米晶體具有明顯的綠光發(fā)射。通過實驗優(yōu)化Eu3+離子,Tm3+離子和Dy3+

6、離子濃度的最佳配比,成功制備出了具有白光發(fā)射的YVO4:Eu3+:Tm3+:Dy3+納米晶體,為稀土離子摻雜YVO4納米材料在照明技術領域的應用提供了前期研究基礎。
  聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)具有優(yōu)良的光學透明性和良好的抗沖擊性,因而是目前最優(yōu)良的高分子透明材料。然而,PMMA也有其缺點,其最大的缺點是不能過濾紫外光。本文采用離子交換法合成YVO4:Ln3+(Ln3+=Eu3+,Tm3+,Dy3+)納米晶體,再基于甲基丙烯酸

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