基于AAO納米光柵表面陷光結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池的實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、由于多晶硅太陽(yáng)能電池相對(duì)較高的轉(zhuǎn)換效率和較低的成本，近年來(lái)受到廣泛的關(guān)注。通常來(lái)說(shuō)，如果不對(duì)多晶硅表面進(jìn)行處理，增加對(duì)光的，使硅吸收的光大大減少，因此需要設(shè)計(jì)一種表面陷光結(jié)構(gòu)，增加對(duì)光的散射。AAO是具有周期性多孔結(jié)構(gòu)的納米光柵，起初只是作為制備納米材料的模板，但是近期它在太陽(yáng)能電池陷光中的應(yīng)用潛力逐漸凸顯。
　　本文通過(guò)將AAO模板作為納米光柵結(jié)構(gòu)引入到多晶硅太陽(yáng)能電池的表面，設(shè)計(jì)了一種由表面AAO納米光柵構(gòu)成的陷光結(jié)構(gòu)。主要研

2、究?jī)?nèi)容包括以下幾個(gè)方面:
　　1.采用FDTD Solution軟件研究了不同AAO結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)電池光吸收的影響，實(shí)現(xiàn)了對(duì)AAO結(jié)構(gòu)參數(shù)的仿真優(yōu)化。仿真結(jié)果表明，AAO可以作為表面陷光結(jié)構(gòu)引入到太陽(yáng)能電池中，最佳陷光參數(shù)為孔徑90nm，厚度200nm，孔間距100nm。
　　2.采用兩次陽(yáng)極氧化方法制備了不同孔徑、厚度、孔間距的AAO納米光柵。通過(guò)制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD的步驟制備了厚度為180μm的多晶硅太陽(yáng)能電池，