大功率微波作用下PIN二極管的損傷特性仿真研究.pdf

1、近年來，半導體科學技術的大發(fā)展推動了新型器件的發(fā)展和應用，但隨著電子電路集成度的提高，其對電磁脈沖和大功率微波的損傷效應敏感程度也隨之增加。在工業(yè)應用中，微波源這類大功率電子系統(tǒng)會持續(xù)產生大功率的微波泄漏，這部分微波泄漏能夠通過傳輸線把能量耦合進系統(tǒng)內部，對電路上的半導體器件形成干擾和損壞。PIN二極管由于其反向擊穿電壓高，可以承受的功率高，具有良好的可靠性和穩(wěn)定型，而被廣泛應用在軍用和民用領域。因此有必要對大量應用于各功能電路中的PI

2、N二極管的大功率微波損傷效應開展深入研究。
　　本文首先對PIN二極管的工作原理和物理模型及結構進行了介紹，利用半導體器件仿真軟件對PIN二極管進行二維仿真建模。研究了快上升沿電磁脈沖信號作用下PIN二極管的毀傷效應和機理。通過分析仿真結果探討了當電磁脈沖作用于PIN二極管時，器件內部電流密度、電場強度、晶格溫度以及毀傷閾值與脈沖參數(shù)之間的關系。得出結論:電磁脈沖前沿上升時間越短、初始偏壓越高，二極管越容易擊穿;損傷及燒毀閾值隨電