SiC開關器件驅動芯片的設計.pdf

1、SiC開關器件是目前電力電子領域研究的重點，SiC MOSFET作為最典型的電力電子開關器件，被廣泛應用于需要高擊穿電壓、高電流傳輸能力、低功率損耗、工作溫度高的電力電子電路中。SiC開關器件的驅動電路作為高壓電路與低壓控制電路之間的接口，直接決定了開關器件能否穩(wěn)定工作。但是，隨著開關頻率的提升，SiC器件的開關損耗逐漸增大，而已有的驅動電路無法解決開關損耗的問題。
　　本文提出了一種適用于SiC MOSFET驅動的閉環(huán)控制策略，

2、并根據(jù)此策略設計了一款SiC MOSFET驅動芯片。芯片的主要功能是為SiC MOSFET提供-5V～15V的驅動電壓且正負大小可控的驅動電流，而且可以根據(jù)外圍檢測電路得到的di/dt和dv/dt信號動態(tài)調節(jié)正負驅動電流的大小，從達到減少器件開關損耗的目的。
　　芯片主要包含的模塊由電平位移模塊，比較器模塊，邏輯控制模塊和電流驅動模塊。本文從各個模塊的基本電路原理出發(fā)，逐步闡述了芯片的電路設計原理和仿真結果。接下來，本文基于工藝平