基于RF LDMOS功率放大器的匹配技術.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩53頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、第三代無線通信系統(tǒng)的快速發(fā)展對蜂窩式無線基站中的射頻功率放大器提出了更高的要求。相比于早期在射頻功率放大器中廣泛使用的GaAs器件，基于硅的射頻(Radio Frequency，RF)橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor,LDMOS)器件由于具有高功率、高效率、高線性度和高效費比等眾多優(yōu)點，從上世紀九十年代末開始，成為蜂窩式無線基站中射頻功率放大器的首選器件[

2、1][2]。
　　 本文研究了射頻高功率放大器設計中RF LDMOS器件的預匹配和匹配技術。針對一款合作研制的高功率RF LDMOS本征器件，以設計一個RF LDMOS功率放大器為平臺，在器件法蘭封裝內為其設計了預匹配電路，然后進一步在PCB上對其進行了外部輸入輸出匹配電路的設計，使其在869～960MHz的工作頻帶內較好地匹配到50Ω的系統(tǒng)參考阻抗上。仿真及測試結果表明，當頻率為900MHz時，該RF LDMOS功放的1dB壓

3、縮點輸出功率(P1dB)達到了48.8dBm，直流到射頻信號的轉換效率(DCRF)達到了66.4％，功率增益(PGain)在18dB左右，三階交調量(IM3)基本處在-30dBc以下，同時在整個869～960MHz工作頻帶內，其輸入反射系數(S11)小于-10dB。
　　 本文的創(chuàng)新點在于，針對由大功率RF LDMOS器件極低的輸入輸出阻抗帶來的匹配電路難以實現(xiàn)的問題，采用預匹配和外部匹配結合的方法，將器件的輸入輸出阻抗匹配到5

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論