寬禁帶半導體材料ZnO、TiO2的制備及特性研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)和二氧化鈦(TiO2)都是典型的寬禁帶半導體材料。寬禁帶半導體材料是具有多種優(yōu)異性能的納米材料，具有著廣闊的應用前景。近些年來，隨著納米科學技術的發(fā)展，納米材料的研究一直是人們研究的重點，尤其是它的應用研究。研究ZnO、TiO2的可控制備以及對它們的性能進行表征具有非常重要的科學意義。本文主要有兩個部分，具體內容如下:
　　一、在低溫條件下通過水熱合成法反應5小時，以FTO導電玻璃作為襯底，制備良好取向的氧化鋅(Z

2、nO)納米棒陣列。詳細的研究制備過程中氨水的含量對ZnO納米棒生長長度的影響。最后通過掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、紫外可見吸收光譜（UV-visible absorption spectra）等表征方法對制備的樣品進行表征與分析。結果表明，隨著氨水含量的增加，ZnO納米棒的生長長度也增加了。
　　二、通過簡單的溶膠-凝膠法和溶劑熱后處理反應，以價格低廉、相對環(huán)保的正己胺作結構導向劑合成尺寸分布均勻、孔徑18.9

3、nm、比表面積為89.76m2g-1的銳鈦礦相二氧化鈦(TiO2)介孔球。經研究發(fā)現(xiàn)，在反應合成過程中水的含量（水與鈦源的摩爾比）對得到的二氧化鈦介孔球的形態(tài)有著顯著的影響。同時TiO2介孔球的表面粗糙程度和直徑大小也受反應時間的影響:相應的延長反應的時間，會使形成的介孔球表面變得越來越光滑，直徑也會逐漸增加。利用反應獲得的TiO2介孔球材料作為染料敏化太陽能電池的光陽極材料，得到的敏化太陽能電池的光電轉化效率達到了5.56％，與相同條