4H-SiC MESFET參數模型和射頻放大器的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性,這些特性決定了它在高溫、大功率、高頻和抗輻照等領域的有著廣泛的應用前景.因此基于4H-SiC的功率微波器件--金屬半導體場效應晶體管(MESFET)越來越受到人們的重視.本文就4H-SiC MESFET的微波特性研究中的大信號模型和射頻電路設計兩個方面進行了研究.本文提出了兩種基于4H-SiC MESFET的材料特性參數和結構參數的大信號建模方法:一是通過建

2、立適用于4H-SiC MESFET的高頻小信號物理模型數值計算獲得不同偏壓下的高頻小信號二端口Y矩陣參數,利用4H-SiC MESFET高頻小信號等效電路,得到4H-SiCMESFET的直流、電容等非線性特性,建立基于物理模型的大信號模型;二是結合經驗模型和解析模型建立4H-SiCMESFET的準解析參數模型,該模型能反映器件基本物理工作機理和適合射頻電路CAD軟件應用,該模型驗證結果表明具有一定的準確性和合理性.利用所建立的4H-Si

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