一種高性能雙極晶體管的結構研究.pdf

1、雙極高頻器件己大量應用于軍用、民用電子設備中，其典型應用主要在通信、雷達(含導航)和電子對抗領域。全固態(tài)電子設備的體積、重量、性能、價格和可靠性很大程度上都取決于雙極功率器件及放大器性能，因此提高該類器件的性能具有很大的應用價值和現(xiàn)實意義。在制作單片低噪聲放大器時，雖然GaAs和SiGe同硅相比具有很多優(yōu)點，尤其是較高的頻率范圍，但是硅雙極器件在較低的頻率范圍仍然占有優(yōu)勢。工作頻率低于4GHz的硅雙極晶體管為許多電子設計提供了可靠而低廉

2、的設計方案。目前我國發(fā)展硅雙極工藝技術的MMIC方面取得了很大成就。 雙極晶體管獨特優(yōu)點： ①優(yōu)越的工作速度②優(yōu)越的驅動能力和跨導③優(yōu)越的閾值電壓可控性④優(yōu)越的噪聲性能⑤在功耗不受限制的集成電路中，雙極電路的速最快。 縮小器件尺寸仍然是提高雙極器件性能的必然途徑。本論文就采取先進的雙層多晶硅自對準工藝來縮減晶體管的尺寸來提高雙極晶體管的速度。根據模擬集成電路國家重點實驗室的工藝不能夠做深槽隔離，所以采用溝阻隔離。