大功率igbt驅(qū)動電路設(shè)計

1、<p><b>　　學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明</b></p><p>　　本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨立進行研究所取得的研究成果。除了本論文緒論章節(jié)的內(nèi)容外，本論文不包括任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。</p><p>　　作者簽名： </p><

2、;p><b>　　年 月 日</b></p><p>　　學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書</p><p>　　本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保障、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向有關(guān)學(xué)位論文管理部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)省級優(yōu)秀學(xué)士論文評選機構(gòu)將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等

3、復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。</p><p>　　本學(xué)位論文屬于1、保密囗，在 年解密后適用本授權(quán)書</p><p><b>　　2、不保密囗 。</b></p><p>　?。ㄕ堅谝陨舷鄳?yīng)方框內(nèi)打“√”）</p><p>　　作者簽名： 年 月 日</p><p&

4、gt;　　導(dǎo)師簽名： 年 月 日</p><p>　　武漢理工大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計（論文)任務(wù)書</p><p>　　學(xué)生姓名： 高琪 專業(yè)班級： 自動化0702班 </p><p>　　指導(dǎo)教師： 陳啟宏 黃亮 工作單位： 自動化學(xué)院

5、</p><p>　　設(shè)計(論文)題目: 大功率IGBT驅(qū)動電路設(shè)計 </p><p>　　設(shè)計（論文）主要內(nèi)容：</p><p>　　研究目前市場大功率IGBT的特性，并針對1200V，450A的IGBT模塊設(shè)計隔離型IGBT驅(qū)動電路及實現(xiàn)電路的保護。完成硬件電路設(shè)計。</p><p>　　要求完成的主要任務(wù):</p>&l

6、t;p>　　1．學(xué)習(xí)MATLAB軟件相關(guān)知識內(nèi)容；學(xué)習(xí)MATLAB軟件相關(guān)知識；</p><p>　　2．具體了解單管IGBT結(jié)構(gòu)和工作原理，知道IGBT的基本特性（靜態(tài)特性、動態(tài)特性）（了解內(nèi)容：正反電壓、集電極電流、射集電壓、集電極功耗）；</p><p>　　3．具體了解IGBT模塊分別在低壓小電流驅(qū)動和高壓大電流驅(qū)動條件下的驅(qū)動要求，選取高壓大功率的IGBT模塊進行了解并設(shè)計

7、其驅(qū)動電路（IGBT模塊選取1200V，450A的FF450R12KT4型號）；</p><p>　　4．設(shè)計隔離型IGBT驅(qū)動電路的硬件電路；</p><p>　　5．撰寫畢業(yè)設(shè)計論文，字數(shù)不少于15000；</p><p>　　6．完成外文文獻翻譯，字數(shù)約為5000左右。</p><p><b>　　必讀參考資料：</b&

8、gt;</p><p>　　[1] 林飛 杜欣．電力電子應(yīng)用技術(shù)的MATLAB仿真[M].北京：中國電力出版社，2009．</p><p>　　[2] 王兆安 劉進軍．電力電子技術(shù)[M].北京：機械工業(yè)出版社，2009．</p><p>　　[3] Abraham I.Pressman 著 Switching Power Supply Design[M].王志強 譯

9、．北京：電子工業(yè)出版社，2010．</p><p>　　[4] 陳堅．電力電子學(xué)－電力電子變換和控制技術(shù)[M].北京：高等教育出版社，2002．</p><p>　　指導(dǎo)教師簽名： 系主任簽名： </p><p>　　院長簽名（章）： </p><p&g

10、t;　　武漢理工大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計（論文）開題報告</p><p><b>　　目 錄</b></p><p><b>　　摘 要I</b></p><p>　　AbstractII</p><p><b>　　1 緒論1</b></p><p&g

11、t;<b>　　1.1 引言1</b></p><p>　　1.2 課題研究意義2</p><p>　　1.3 研究現(xiàn)狀3</p><p>　　1.3.1 產(chǎn)品現(xiàn)狀3</p><p>　　1.3.2 技術(shù)現(xiàn)狀4</p><p>　　1.4 主要研究內(nèi)容5</p><

12、p>　　2 IGBT的基本結(jié)構(gòu)及IGBT模塊選型7</p><p>　　2.1 IGBT的結(jié)構(gòu)及工作原理7</p><p>　　2.2 IGBT的基本工作特性9</p><p>　　2.3 IGBT模塊選型11</p><p>　　3 IGBT驅(qū)動研究12</p><p>　　3.1 驅(qū)動電路設(shè)計要求

13、12</p><p>　　3.2 IGBT的驅(qū)動電路選型12</p><p>　　3.3 IGBT驅(qū)動電路中柵極電阻的研究14</p><p>　　3.3.1 柵極電阻的作用14</p><p>　　3.3.2 柵極電阻的選取14</p><p>　　3.3.3 設(shè)置柵極電阻的注意事項15</p>

14、<p>　　3.3.4 柵極電阻和IGBT的關(guān)系討論15</p><p>　　4 IGBT保護電路設(shè)計19</p><p>　　4.1 IGBT柵極的保護19</p><p>　　4.2 IGBT的過電流保護19</p><p>　　4.3 IGBT開關(guān)過程中的電壓保護22</p><p>　　

15、4.4 IGBT的過熱保護25</p><p>　　4.5 IGBT驅(qū)動保護設(shè)計總結(jié)26</p><p>　　5 隔離型IGBT驅(qū)動電路硬件設(shè)計27</p><p>　　5.1 IGBT驅(qū)動電路原理圖27</p><p>　　5.2 正常開通與關(guān)斷過程27</p><p>　　5.3 保護電路的工作27&l

16、t;/p><p>　　5.4 IGBT驅(qū)動電路的整體電路圖29</p><p>　　6 總結(jié)與展望30</p><p><b>　　參考文獻31</b></p><p><b>　　附 錄32</b></p><p><b>　　致 謝35</b&g

17、t;</p><p><b>　　摘 要</b></p><p>　　絕緣柵雙極型晶體管IGBT是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點?；诖颂攸c，在應(yīng)用的廣泛領(lǐng)域中的IGBT是非常重要的原件，所以開設(shè)關(guān)于大功率IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計的課題研究非常有意義。<

18、/p><p>　　在電力電子器件中，IGBT的綜合性能方面占有明顯優(yōu)勢，并廣泛地運用在各類電力變換裝置中。然而如何有效地驅(qū)動并保護IGBT，成為電力電子領(lǐng)域中的重要研究課題之一。本文討論了IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理及IGBT元件其靜態(tài)和動態(tài)特性，研究討論了IGBT驅(qū)動電路的主要種類和電路的各種保護方式及柵極電阻對于IGBT性能以及對驅(qū)動電路與過流保護電路的要求。本文利用IGBT 的通態(tài)飽和壓降與集電極電流呈近似線性關(guān)系的

19、特性，設(shè)計一個具有完善的過流過壓保護功能的IGBT 驅(qū)動電路。經(jīng)過對于相關(guān)資料的分析和實驗，設(shè)計出具有簡單、實用、可靠性高等優(yōu)點的IGBT驅(qū)動電路。</p><p>　　關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動電路；過流保護</p><p><b>　　Abstract</b></p><p>　　Insulation grid double pole tran

20、sistor IGBT is one kind by the double pole transistor and the MOSFET combination component, it both has the MOSFET grid bias control split-second-selection characteristic, and has the double pole transistor big electric

21、current handling ability and the low saturated pressure drop characteristic. Based on this feature in the broad field of application of IGBT is very important in the original, so the creation of high-power IGBT drive cir

22、cuit on the design of the re</p><p>　　In power electronic devices, the combination property of IGBT has clear superiority, which is widely used various electric equipment．However，now to drive and protec

23、t IGBT effectively has become one of the important tasks in power and electronic fields. This article discusses the principles of the internal structure of IGBT and IGBT components of its static and dynamic characteristi

24、cs. Also discussed the main types of IGBT drive circuit and the circuit resistance of various protective methods and</p><p>　　Key words：IGBT；Driving Circuit；Over-current protection</p><p><b&

25、gt;　　1 緒論</b></p><p><b>　　1.1 引言</b></p><p>　　近年來，隨著大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件發(fā)展和生產(chǎn)工藝的日益成熟，特別是20世紀80年代IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的出現(xiàn)，逐步實現(xiàn)了采用IGBT做開關(guān)管的全固態(tài)大功率調(diào)制器和高壓開關(guān)電源。IGBT是MOS與BJT的復(fù)合型功率器件，這種器件屬于場控功率管，有著開關(guān)速度

26、快、耐壓高、開關(guān)功率大、管壓降小等特點。采用IGBT作為開關(guān)器件的調(diào)制器和高壓電源，不但具有效率高、體積小、重量輕、可靠性高、易模塊化設(shè)計等優(yōu)點，而且沒有電子管的壽命問題，使用和維護費用也隨之下降。IGBT的驅(qū)動電路要求驅(qū)動能力強、保護迅速有效。</p><p>　　1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿

27、濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。</p><p>　　80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT中來。在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計。后來，通過采用PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個顯著改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的。幾年當中，這種在采用PT設(shè)計的外延片

28、上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進到3微米。</p><p>　　90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進。</p><p>　　硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通（NPT）

29、結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通（LPT）結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)（SOA）得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。</p><p>　　這次從穿通（PT）型技術(shù)先進到非穿通（NPT）型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（PT）技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通（NPT）技術(shù)則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比

30、較低。進而言之，非穿通（NPT）技術(shù)又被軟穿通（LPT）技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”（SPT）或“電場截止”（FS）型技術(shù)，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。</p><p>　　1996年，CSTBT（載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實現(xiàn)，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進的寬元胞間距的設(shè)計。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反向?qū)?/p>

31、型”（逆導(dǎo)型）功能的IGBT器件的新概念正在進行研究，以求得進一步優(yōu)化。</p><p>　　IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF

32、逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中，智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。</p><p>　　現(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT

33、專用驅(qū)動電路.其性能更好,整機的可靠性更高及體積更小。</p><p>　　1.2 課題研究意義</p><p>　　電力電子技術(shù)的應(yīng)用在當今的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用，而IGBT在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動IGBT工作，也成為越來越多的設(shè)計工程師面臨需要解決的課題。</p>

34、;<p>　　IGBT開發(fā)之初主要應(yīng)用在電機、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、EPS電源、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備等工業(yè)控制領(lǐng)域。在上述的應(yīng)用領(lǐng)域中，IGBT憑借著電壓控制、驅(qū)動簡單、開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗小、可實現(xiàn)短路保護等優(yōu)點，在600V及以上中壓應(yīng)用領(lǐng)域中競爭力逐步顯現(xiàn)。在UPS、開關(guān)電源、電車、交流電機控制中已逐步代替GTO、GTR。由于SCR和GTO具有極高的耐壓能力和較大的通過電流，目前在高壓大電流應(yīng)用中SCR和GTO仍占

35、有統(tǒng)治地位。隨著人們節(jié)能意識的逐步增強，變頻空調(diào)、變頻洗衣機等變頻家電比例的逐年擴大。為了簡化電路設(shè)計，提高IGBT使用的可靠性，變頻家電中主要使用集和驅(qū)動電路、保護電路等功能于一體的IGBT智能模塊。IGBT在汽車中的應(yīng)用主要集中在汽車點火器上，已成功地取代達林頓管成為汽車點火器的首選。飛兆、英飛凌、ST在該市場中有很強的競爭力。中國鐵路的發(fā)展離不開大量電力機車和高速動車組，電力機車需要500個IGBT，動車組需要超過100個IGBT

36、，一節(jié)地鐵需要50~80個IGBT模塊。粗略估計上述軌道交通市場對IGBT模塊的需求將超過三百萬個，可以想見軌道交通給IGBT市場所帶來的空前機遇和</p><p>　　當?shù)吞冀?jīng)濟，節(jié)能減排成為經(jīng)濟工作的重點時，市場對節(jié)能概念接受能力較強。在節(jié)能減排的大環(huán)境下，IGBT一方面擁有新技術(shù)帶來的廣闊的市場空間，另一方面從技術(shù)發(fā)展路線來看又對以往的功率器件產(chǎn)品有一個逐步替代的作用。2009年我國IGBT市場為53億元左

37、右，目前我國IGBT市場占整個功率器件市場份額尚不足10％，我們預(yù)計未來幾年IGBT市場隨著節(jié)能減排的推進將得到快速發(fā)展，增速將達到20％~30％，遠超整個功率器件市場。由于關(guān)鍵技術(shù)的缺失，中國功率器件市場絕大部分份額被國外廠商占領(lǐng)，在國家政策扶持下，目前中國IGBT行業(yè)中高端技術(shù)已有突破，部分廠商已具備量產(chǎn)能力。</p><p>　　IGBT模塊發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，

38、特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系。</p><p>　　隨著大功率IGBT在生產(chǎn)中的應(yīng)用越來越加廣泛，那么IGBT的驅(qū)動電路也得到了成熟的發(fā)展。在使用IGBT構(gòu)成的各種主回路之中，大功率IGBT驅(qū)動保護電路起到弱電控制強電的終端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以將該電路看成是一個相對獨立的“子系統(tǒng)”來研究、開發(fā)及設(shè)計

39、。</p><p>　　大功率IGBT驅(qū)動保護電路一直伴隨IGBT技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，現(xiàn)在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率IGBT驅(qū)動保護電路專用產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計工程師的首選；也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求，自行研制出各種專用的大功率IGBT。驅(qū)動保護電路而IGBT行業(yè)中的高端技術(shù)重點在于怎樣驅(qū)動以及保護IGBT正常工作。</p><p><b>　　1.3 研究現(xiàn)狀

40、</b></p><p>　　1.3.1 產(chǎn)品現(xiàn)狀</p><p>　　當前市場上的成品驅(qū)動器,按驅(qū)動信號與被驅(qū)動的絕緣柵器件的電氣關(guān)系來分，可分為直接驅(qū)動和隔離驅(qū)動兩種，其中隔離驅(qū)動的隔離元件有光電耦合器和脈沖變壓器兩種。</p><p>　　不隔離的直接驅(qū)動器：在Boost、全波、正激或反激等電路中，功率開關(guān)管的源極位于輸入電源的下軌，PWM IC輸

41、出的驅(qū)動信號一般不必與開關(guān)管隔離，可以直接驅(qū)動。如果需要較大的驅(qū)動能力，可以加接一級放大器或是串上一個成品驅(qū)動器。直接驅(qū)動的成品驅(qū)動器一般都采用薄膜工藝制成IC電路，調(diào)節(jié)電阻和較大的電容由外引腳接入。目前的成品驅(qū)動器種類不少，如TI公司的UCC37XXX系列，TOSIBA公司的TPS28XX系列，0nsemi公司的MC3315X系列，SHARP公司的PC9XX系列，IR公司的IR21XX系列，等等，種類繁多。</p>&l

42、t;p>　　光電耦合器的隔離驅(qū)動器：隔離驅(qū)動產(chǎn)品絕大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅(qū)動信號和被驅(qū)動的絕緣柵器件，采用厚膜工藝制成HIC電路，部分阻容元件也由引腳接入。目前市售的光電耦合型驅(qū)動器產(chǎn)品，主要有FUJI公司的EXB8XX系列、MITSUBISHI公司的M579XX系列、英達公司的HR065和西安愛帕克電力電子有限公司的HL402B等，以及北京落木源電子技術(shù)有限公司的TX-KA系列。TX-KA系列驅(qū)動器保護功能完善、工作

43、頻率高、價格便宜，并能與多種其它類型的驅(qū)動器兼容。此類產(chǎn)品，由于光電耦合器的速度限制，一般工作頻率都在50KHz以下(TX-KA101可達80K)。它們的優(yōu)點是大部分具有過流保護功能，其過電流信號是從IGBT的管壓降中取得的；共同的缺點是需要一個或兩個獨立的輔助電源，因而使用較為麻煩。</p><p>　　由于成本問題，該類產(chǎn)品價格稍高，因此只適用于在大功率電源中驅(qū)動IGBT模塊，在中小功率領(lǐng)域難以推廣使用。&l

44、t;/p><p>　　變壓器隔離、一路電源輸入，自帶DC/DC輔助電源的驅(qū)動器：目前有CONCEPT公司的2SD315A和SEMIKRON公司的SKHI22等，使用兩個脈沖變壓器傳遞半橋驅(qū)動信號，需要一路電源輸入，自帶一個DC/DC電源提供驅(qū)動所需的兩個輔助電源。輸出的驅(qū)動信號質(zhì)量不錯，驅(qū)動能力也很強，但由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因而體積較大，價格不菲，只適用于特大功率電源中。上述兩種驅(qū)動板的信號傳遞采用的是調(diào)制技術(shù)。 北京落木

45、源公司也開發(fā)了一款變壓器隔離的驅(qū)動器，型號為KB101，可以工作在較高的頻率上，但是需要用戶提供輔助電源。 </p><p>　　變壓器隔離、調(diào)制式自給電源驅(qū)動器：調(diào)制式自給電源驅(qū)動器，采用變壓器進行電氣隔離，通過載頻傳遞驅(qū)動所需要的能量，通過調(diào)制信號傳遞PWM信息，因此可以通過0~100％占空比的PWM信號。目前的許多驅(qū)動板產(chǎn)品都采用這種技術(shù)，如西門康的SKHI27等。單片式的調(diào)制驅(qū)動器，目前國外還未見有產(chǎn)品出

46、售。但有一種2片組合式的，如UNITRODE公司的UC3724/25集成電路對，其中3724與驅(qū)動源相連，3725與被驅(qū)動的絕緣柵器件相連，3724與3725之間由用戶接入一個脈沖變壓器，在UC3724中將PWM信號調(diào)制到約１MHz的載波上，送到隔離脈沖變壓器的初級，次級輸出信號在UC3725中通過直接整流得到自給電源，通過解調(diào)取得原PWM信號。 </p><p>　　國內(nèi)的單片式調(diào)制驅(qū)動器，有北京落木源的TX-

47、KE系列驅(qū)動器。調(diào)制驅(qū)動器，除無需用戶提供輔助電源外，還具有隔離電壓高的特點，但是價格較高。 </p><p>　　變壓器隔離、分時式自給電源驅(qū)動器：分時式自給電源驅(qū)動器產(chǎn)品的優(yōu)點是：價格便宜，大中小功率的電源都可應(yīng)用；驅(qū)動器自身不需要單獨的供電電源，簡化了電路；輸出驅(qū)動脈沖的延遲很少，上升和下降沿也相當陡峭；工作頻率較高，并且可在占空比5~95%的范圍內(nèi)工作。分時式自給電源驅(qū)動器的缺點是當工作頻率較低時變壓器的

48、體積較大，厚膜化困難，由于自給電源提供的能量有限、難以驅(qū)動300A/1200V以上的IGBT。 </p><p>　　1.3.2 技術(shù)現(xiàn)狀</p><p>　　開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功率器件(包括VMOS場效應(yīng)管和IGBT絕緣柵雙極性大功率管等)，由于器件結(jié)構(gòu)的不同，具體的驅(qū)動要求和技術(shù)也大不相同。前者屬于電流控制器件，要求

49、合適的電流波形來驅(qū)動；后者屬于電場控制器件，要求一定的電壓來驅(qū)動。本文只介紹后者的情況。 </p><p>　　VMOS場效應(yīng)管(以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件)的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的靜態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關(guān)斷時需要一定的動態(tài)驅(qū)動功率。小功率VMOS管的Cgs一般在10-100pF之內(nèi)，對于大功率

50、的絕緣柵功率器件，由于柵極電容Cgs較大，在1-100nF，甚至更大，因而需要較大的動態(tài)驅(qū)動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cgs，柵極驅(qū)動功率是不可忽視的。 </p><p>　　為可靠驅(qū)動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時，驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的，目前也有了一些優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路，如IR2110。當需要驅(qū)動器的輸入端與輸出端電氣隔離時，一般有兩種途徑：采用光電耦合器，或是利

51、用脈沖變壓器來提供電氣隔離。 </p><p>　　光電耦合器的優(yōu)點是體積小巧，缺點是：A、反應(yīng)較慢，因而具有較大的延遲時間(高速型光耦一般也大于500ns)；B、光電耦合器的輸出級需要隔離的輔助電源供電。 </p><p>　　用脈沖變壓器隔離驅(qū)動絕緣柵功率器件有三種方法：無源、有源和自給電源驅(qū)動。 </p><p>　　無源方法就是用變壓器次級的輸出直接驅(qū)動絕緣

52、柵器件，這種方法很簡單，也不需要單獨的驅(qū)動電源，但由于絕緣柵功率器件的柵源電容Cgs一般較大，因而柵源間的波形Vgs將有明顯變形，除非將初級的輸入信號改為具有一定功率的大信號，相應(yīng)脈沖變壓器也應(yīng)取較大體積。 </p><p>　　有源方法中的變壓器只提供隔離的信號，在次級另有整形放大電路來驅(qū)動絕緣柵功率器件，當然驅(qū)動波形好，但是需要另外提供隔離的輔助電源供給放大器。而輔助電源如果處理不當，可能會引進寄生的干擾。

53、</p><p>　　自給電源方法的已有技術(shù)是對PWM驅(qū)動信號進行高頻(1MHz以上)調(diào)制，該信號加在隔離脈沖變壓器的初級，在次級通過直接整流得到自給電源，而原PWM調(diào)制信號則需經(jīng)過解調(diào)取得，顯然，這種方法并不簡單, 價格當然也較高。調(diào)制的優(yōu)點是可以傳遞的占空比不受限制。 </p><p>　　分時式自給電源是北京落木源公司的創(chuàng)新技術(shù)，其特點是變壓器在輸入PWM信號的上升和下降沿只傳遞PW

54、M信息，在輸入信號的平頂階段傳遞驅(qū)動所需要的能量，因而波形失真很小。這種技術(shù)的缺點是占空比一般只能達到5~95％。</p><p>　　1.4 主要研究內(nèi)容</p><p>　　本文旨在研究IGBT工作特性，以及驅(qū)動電路和保護電路的設(shè)計，本文的研究內(nèi)容如下：</p><p>　　第二章主要針對絕緣柵雙擊晶體管（IGBT）的基本內(nèi)部結(jié)構(gòu)和元件特性進行簡要的介紹和了解。

55、其中介紹了IGBT的基本工作原理及其基本特性。敘述了IGBT的導(dǎo)通條件及在其中詳細論述了IGBT的基本特性的靜態(tài)特性中的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性(伏安特性)的內(nèi)容，通過其中的波形圖可以具體的掌握其特性的知識。同時，還介紹了IGBT的動態(tài)特性，介紹了IGBT開關(guān)過程中的柵射電壓Uge、集電極電流Ic、集射電壓Uce的波形及其中的工作特性。并在最后對現(xiàn)有品牌的大功率IGBT模塊進行簡單的初步介紹和選取。</p><p>　

56、　第三章是針對IGBT的驅(qū)動電路的設(shè)計要求進行了討論并設(shè)計IGBT驅(qū)動電路。本章的前面針對包括了驅(qū)動電路的設(shè)計時的注意事項，同時也介紹了幾種常見的IGBT的驅(qū)動電路，包括：阻尼濾波門極驅(qū)動電路、光耦合門極驅(qū)動電路、脈沖變壓器直接驅(qū)動IGBT的電路并同時舉例。本次IGBT的驅(qū)動電路的設(shè)計就是選擇了光耦合器門極驅(qū)動。其中還對IGBT驅(qū)動電路中的柵極電阻的選擇和其對于IGBT的影響和作用的討論。柵極電阻Rg對于IGBT的正常穩(wěn)定的運行有著至關(guān)

57、重要的作用，并且Rg的選取也有很多要考慮的因素。在本章節(jié)內(nèi)容中還就參考的資料詳細的了解了Rg和IGBT開關(guān)特性及柵極電阻的計算。</p><p>　　第四章中分析了IGBT元件的保護，就IGBT的柵極保護、過流保護及IGBT開關(guān)過程中的過電壓保護和過熱保護分別進行分析和學(xué)習(xí)。并同時羅列出各個模塊的舉例電路，根據(jù)所知的內(nèi)容為自己的IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計做好鋪墊，本章節(jié)的內(nèi)容對于設(shè)計IGBT驅(qū)動電路有很大的作用。最終

58、設(shè)計出IGBT驅(qū)動電路并進行分析</p><p>　　第五章是對隔離型IGBT驅(qū)動電路的硬件設(shè)計部分進行設(shè)計，并對該電路的工作原理進行必要的講解，最后使用Multisim軟件對該電路進行繪制。</p><p>　　2 IGBT的基本結(jié)構(gòu)及IGBT模塊選型</p><p>　　2.1 IGBT的結(jié)構(gòu)及工作原理</p><p>　　IGBT(In

59、sulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為60

60、0V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。</p><p>　　絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層。根據(jù)國際電工委員會的文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應(yīng)晶體管的相應(yīng)命名。</p><p>　　IGBT的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOS

61、FET的N+基板（漏極）上增加了一個P+基板（IGBT的集電極），形成PN結(jié)j1，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET相似。</p><p>　　正是由于IGBT是在N溝道MOSFET的N+基板上加一層P+基板，形成了四層結(jié)構(gòu)，由PNP－NPN晶體管構(gòu)成IGBT。但是，NPN晶體管和發(fā)射極由于鋁電極短路，設(shè)計時盡可能使NPN不起作用。所以說，IGBT的基本工作與NPN晶體管無關(guān)，可以認為是將N溝道MOS

62、FET作為輸入極，PNP晶體管作為輸出極的單向達林頓管。</p><p>　　圖1 IGBT的結(jié)構(gòu)剖面圖</p><p>　　由圖1可以看出，IGBT相當于一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)GTR，其簡化等效電路如圖2所。</p><p>　　圖2 N溝道IGBT的簡化等效電路和電氣圖形符號電路圖</p><p>　　圖中Rff是厚基區(qū)GTR的擴

63、展電阻。IGBT是以GTR為主導(dǎo)件、MOSFET為驅(qū)動件的復(fù)合結(jié)構(gòu)。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。</p><p>　　圖3 P溝道IGBT的簡化電氣圖形符號</p><p>　　對于P

64、溝道，圖形符號中的箭頭方向恰好相反，如圖3所示。IGBT的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導(dǎo)通。此時，從P+區(qū)注到N-區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減少N-區(qū)的電阻Rff值，使高耐壓IGBT也具有低的通態(tài)壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。</p><p>　　IGBT的安全可靠與

65、否主要由以下因素決定：IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓；IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓；流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流；IGBT的結(jié)溫。</p><p>　　如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極－發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流超過集

66、電極－發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。</p><p>　　IGBT的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導(dǎo)通，此時，從P+區(qū)注到N-區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減少N-區(qū)的電阻Rdr值，使高耐壓的IGBT也具有低的通態(tài)壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流

67、被切斷，IGBT即關(guān)斷。

68、 </p><p>　　IGBT是一種電壓型控制器件，它所需要的驅(qū)動電流跟驅(qū)動功率都非常小，可直接與模擬或數(shù)字功能快相接而不須加任何附加接口電路。IGBT的導(dǎo)通和

69、關(guān)斷是由柵極電壓Uge來控制的，當Uge大于Uge(th)時IGBT導(dǎo)通。當柵極和發(fā)射極施加反向或不加信號時，IGBT被關(guān)斷。</p><p>　　IGBT和普通三極管一樣，可工作在線性放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)，起主要作為開關(guān)器件應(yīng)用。在驅(qū)動電路主要研究飽和導(dǎo)通和截止兩個狀態(tài)，使其開通上升沿和關(guān)斷下降沿都比較陡峭。</p><p>　　2.2 IGBT的基本工作特性</p>&

70、lt;p>　　IGBT的靜態(tài)特性如下：</p><p>　　IGBT的伏安特性如圖4（a）所示，伏安特性是以柵射電壓Uge為參變量時，集電極電流Ic和集射電壓Uce之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性也可分為飽和區(qū)、放大區(qū)和擊穿區(qū)三個部分。在正向?qū)ǖ拇蟛糠謪^(qū)域內(nèi)，Ic與Uce呈線性關(guān)系，此時IGBT工作于放大區(qū)內(nèi)。對應(yīng)著伏安特性明顯彎曲部分，這時Ic與Uce呈非線性關(guān)系，此時IGBT工作于飽和區(qū)。開關(guān)器件I

71、GBT常工作于飽和狀態(tài)和阻斷狀態(tài)，若IGBT工作于放大狀態(tài)將會增大IGBT的損耗。</p><p>　　IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極電流Ic與柵射電壓Uge之間的關(guān)系曲線。如圖4(b)所示，它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵射電壓小于開啟電壓Uge(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。當Uge>Uge(th)時,導(dǎo)通IGBT在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Ic與Uge呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極

72、電流限制，其最佳值一般取為15V左右。</p><p>　　圖4 IGBT的伏安特性和轉(zhuǎn)移特性</p><p>　　IGBT的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值基地。盡管等效電路圖為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示：</p>

73、<p><b>　?。?-1）</b></p><p>　　式中Uj1：JI結(jié)的正向電壓，其值為0.7-1V；Uff：擴展電阻Rff上的壓降；Roh：溝道電阻。</p><p>　　通態(tài)電流Ids可用下式表示：</p><p><b>　?。?-2）</b></p><p>　　式中Imo

74、s:流過MOSFET的電流。</p><p>　　由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT通態(tài)壓降為2~3V。</p><p>　　IGBT的動態(tài)特性如下：</p><p>　　圖5是IGBT開關(guān)過程的波形圖。IGBT在開通過程與電力MOSFET的開通過程很相似。這是因為IGBT在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET來運行的

75、。如圖所示，從驅(qū)動電壓Uge的前沿上升至其幅值的10%的時刻，到集電極的電流Ic上升至其幅值的10%的時刻止，這段時間為開通延遲時間td(on)，而Ic從10%ICM上升至90%ICM所需的時間為電流的上升時間tr。同樣，開通時間ton為開通延時時間與上升時間之和。開通時，極射電壓Uce的下降過程由tfu1和tfu2兩段。前者為IGBT中MOSFET單獨工作的電壓下降過程；后者為MOSFET何PNP晶體管同時工作的電壓下降過程。由于Ug

76、e下降時IGBT的MOSFET柵漏電容增加，而且IGBT中的PNP晶體管由放大狀態(tài)轉(zhuǎn)入飽和狀態(tài)也需要一個過程，因此,tfu1段電壓下降過程變緩。只有在tfu2段結(jié)束時，IGBT才完全進入飽和狀態(tài)。</p><p>　　圖5 IGBT的開關(guān)過程</p><p>　　IGBT關(guān)斷時，從驅(qū)動電壓Uge的脈沖后沿下降到其幅值的90%的時刻起，到集電極電流下降到90%ICM止，這段時間為關(guān)斷延時時間

77、td(off)；集電極電流從90%ICM下降到10%ICM的這段時間為電流下降時間。二者之和為關(guān)斷時間toff。電流下降時間可以分為tf1和tf2兩段。其中tf1對應(yīng)IGBT內(nèi)部的MOSFET的關(guān)斷過程。這段時間集電極電流Ic下降較快；tf2對應(yīng)IGBT內(nèi)部的PNP的關(guān)斷過程，這段時間內(nèi)MOSFET已經(jīng)關(guān)斷，IGBT又無反向電壓，所以N基區(qū)內(nèi)的少子復(fù)合緩慢，造成Ic下降較慢。</p><p>　　IGBT的擎住效

78、應(yīng)：IGBT為四層結(jié)構(gòu)，存在一個寄生晶閘管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在個體區(qū)短路電阻，P型體區(qū)的橫向空穴流過此電阻會產(chǎn)生一定壓降，對J3結(jié)相當于一個正偏置電壓。在規(guī)定的集電極電流范圍內(nèi)，這個正偏置電壓不會使NPN晶體管導(dǎo)通；當Ic大到一定程度時，該偏置電壓使NPN晶體管開通，進而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài)。于是柵極失去控制作用，這就是所謂的擎住效應(yīng)。</p><p>　　2.3 IGBT模塊選型

79、</p><p>　　目前市場上面的IGBT模塊產(chǎn)品很多，例如三菱、富士、東芝、三社、、西門子、英飛凌，IR等品牌。例如三菱的H系列（標準型）中高壓大電流的CM600HA-24H型號為一單元的IGBT模塊可以承受的最大電壓值為1200V，最大電流值為600A，工作電路中的柵極電阻Rg可選取為左右。三菱的NFH系列中的CM600DU-24NFH的最大耐壓值和最大電流值與CM600HA-24H模塊相同，但是CM600

80、DU-24NFH模塊是雙單元結(jié)構(gòu)，而且其柵極電阻Rg的取值范圍為~?，F(xiàn)在常用大功率的IGBT模塊中，雙單元的模塊為主流趨勢。本次設(shè)計選取的是IGBT模塊為英飛凌的FF450R12KT4,其也是雙單元模塊，該模塊的最大的電壓值為1200V，最大電流值為450A，開關(guān)頻率為20KHZ，其驅(qū)動電路中的柵極電阻Rg在左右。其模塊內(nèi)的連接電路圖如圖6所示。</p><p>　　圖6 FF450R12KT4模塊電路圖<

81、/p><p>　　3 IGBT驅(qū)動研究</p><p>　　3.1 驅(qū)動電路設(shè)計要求</p><p>　　柵極正向驅(qū)動電壓的大小將對電路性能產(chǎn)生重要影響，必須正確選擇。當正向驅(qū)動電壓增大時,IGBT的導(dǎo)通電阻下降，使開通損耗減??；但若正向驅(qū)動電壓過大則負載短路時其短路電流Ic隨Uge增大而增大，可能使IGBT出現(xiàn)擎住效應(yīng)，導(dǎo)致門控失效，從而造成IGBT的損壞；若正向驅(qū)動

82、電壓過小會使IGBT退出飽和導(dǎo)通區(qū)而進入線性放大區(qū)域，使IGBT過熱損壞；使用中選12V≤Uge≤15V為好。柵極負偏置電壓可防止由于關(guān)斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通，一般負偏置電壓選-5V為宜。另外，IGBT開通后驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的電壓和電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和導(dǎo)通區(qū)而損壞。 </p><p>　　IGBT快速開通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，減小開關(guān)損耗。但在大電感負載下IGB

83、T的開關(guān)頻率不宜過大，因為高速開通和關(guān)斷時，會產(chǎn)生很高的尖峰電壓，極有可能造成IGBT或其他元器件被擊穿。 </p><p>　　選擇合適的柵極串聯(lián)電阻Rg和柵射電容Cg對IGBT的驅(qū)動相當重要。Rg較小，柵射極之間的充放電時間常數(shù)比較小，會使開通瞬間電流較大，從而損壞IGBT；Rg較大，有利于抑制dVce/dt但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗。合適的Cg有利于抑制di/dt，Cg太大，開通時間延時，Cg太小

84、對抑制dic/dt效果不明顯。</p><p>　　當IGBT關(guān)斷時，柵射電壓很容易受IGBT和電路寄生參數(shù)的干擾，使柵射電壓引起器件誤導(dǎo)通，為防止這種現(xiàn)象發(fā)生，可以在柵射間并接一個電阻。此外，在實際應(yīng)用中為防止柵極驅(qū)動電路出現(xiàn)高壓尖峰，最好在柵射間并接兩只反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管，其穩(wěn)壓值應(yīng)與正負柵壓相同。 </p><p>　　3.2 IGBT的驅(qū)動電路選型</p><

85、p>　　阻尼濾波門極驅(qū)動電路，為了消除可能的振蕩現(xiàn)象，IGBT的柵射極間接上RC網(wǎng)絡(luò)組成阻尼濾波器且連線采用雙絞線。為使IGBT能穩(wěn)定工作,IGBT驅(qū)動電路采用正負偏壓雙電源工作方式。門極驅(qū)動電路的輸出線為絞合線。為抑制輸入信號的振蕩現(xiàn)象,在門源端并聯(lián)一阻尼網(wǎng)絡(luò),由1Ω電阻和0.33μF電容器組成阻尼振蕩器。另外,驅(qū)動電路的輸出級與IGBT的輸入端之間的連接串有一只10Ω的門極電阻，其電路圖如圖7所示。</p>&l

86、t;p><b>　　圖7 阻尼濾波電路</b></p><p>　　光耦合器門極驅(qū)動電路，輸入信號Ui經(jīng)光電耦合器隔離后引入驅(qū)動電路，經(jīng)放大器放大由推換電路V2、V3向IGBT提供門極驅(qū)動信號。V2通過+Uc得到一個正向門極電壓，當V2截止，V3導(dǎo)通時得到一個負的門極電壓并截止。另外設(shè)計了過電流保護裝置。當過電流信號來時，IGBT脫離飽和狀態(tài)，Uds升高，VD1檢測到該信號，一方面通過

87、光耦V1向控制回路發(fā)信號，另一方面在較短的時間內(nèi)降低門極電壓使IGBT關(guān)斷。日本富士公司的EXB84系列采用這種驅(qū)動器形式。光耦合門極驅(qū)動電路如圖8所示。</p><p>　　圖8 光耦合門極驅(qū)動電路</p><p>　　脈沖變壓器直接驅(qū)動IGBT的電路，由于是電磁隔離方式，驅(qū)動級不需要專門直流電源，簡化了電源結(jié)構(gòu)。由控制脈沖生成單元產(chǎn)生的脈沖信號經(jīng)晶體管V進行功率放大后加到脈沖變壓器T，

88、并由T隔離耦合經(jīng)穩(wěn)壓管VDZ1，VDZ2限幅后驅(qū)動IGBT驅(qū)動級不需專門的直流電源，簡化了電路結(jié)構(gòu)，且工作頻率高，可達10KHZ左右。其電路圖如圖9所示。</p><p>　　圖9 脈沖變壓器驅(qū)動電路</p><p>　　3.3 IGBT驅(qū)動電路中柵極電阻的研究</p><p>　　3.3.1 柵極電阻的作用</p><p>　　消除柵極振蕩

89、，絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩，因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。 </p><p>　　轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗，電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。 </p><p>　　調(diào)節(jié)功

90、率開關(guān)器件的通斷速度，柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率大大提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。</p><p>　　3.3.2 柵極電阻的選取</p><p>　　柵極電阻阻值的確定，各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會有很大的差異。不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可

91、在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試。 </p><p>　　柵極電阻功率的確定，柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動功率的2倍。 </p><p>　　IGBT柵極驅(qū)動功率 P＝FUQ，其中：</p><p><b>　　F為工作頻率； </b></p><p>　　U為驅(qū)動輸出

92、電壓的峰峰值； </p><p>　　Q為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。 </p><p>　　例如，常見IGBT驅(qū)動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V，則U=24V， 假設(shè)F=10KHz，Q=2.8μC,則可計算出 P=0.67W，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個1W電阻并聯(lián)。 </p><p>　　3.3.3 設(shè)置柵極電阻的注意事項&l

93、t;/p><p>　　盡量減小柵極回路的電感阻抗，這就要使得驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度，同時驅(qū)動的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線，而且線路板上的兩根驅(qū)動線的距離盡量靠近，還有柵極電阻使用無感電阻；如果是有感電阻，可以用幾個并聯(lián)以減小電感。 </p><p>　　IGBT開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻。 通常為達到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度，分別選取 Rgon

94、和Rgoff（也稱Rg+和Rg-）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。 </p><p>　　在IGBT的柵射極間接上Rge＝10~100K電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶最好再在IGBT的

95、柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。</p><p>　　3.3.4 柵極電阻和IGBT的關(guān)系討論</p><p>　　柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時間、開關(guān)損耗、反向偏置安全運行區(qū)域、短路電流安全運行區(qū)域、EMI、dv/dt、di/dt和續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流。柵極電阻必須按照各個應(yīng)用參數(shù)仔細選擇和優(yōu)化，如：IGBT技術(shù)、二極管、開關(guān)頻率、損耗、應(yīng)用布局、電感/雜散電感、直流環(huán)節(jié)電壓和

96、驅(qū)動能力。下面以西門康公司的AN-7003IGBT[12]為例進行對柵極電阻的討論。</p><p>　　IGBT開關(guān)特性與Rg，每個IGBT的開關(guān)特性的設(shè)定可受外部電阻Rg的影響。由于IGBT得輸入電容在開關(guān)期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻由通過的限制導(dǎo)通和關(guān)斷期間柵極電流（Ig）脈沖的幅值需要多長時間來決定。</p><p>　　圖10 導(dǎo)通和關(guān)閉的柵極電流流向</p>

97、<p>　　由于柵極峰值電流的增加，導(dǎo)通和關(guān)斷的時間將會縮短且開關(guān)損耗也將會減少。減少Rg(on)和Rg(off)的組織會影響柵極峰值電流。下列圖表顯示開關(guān)損耗和開關(guān)時間依賴于選定的柵極電阻。</p><p>　　圖11 開關(guān)損耗和開關(guān)時間與Rg的關(guān)系</p><p>　　當減小柵極電阻的阻值時，需要考慮的是當大電流被過快地切換時所產(chǎn)生的di/dt。這是由于電路中存在雜散電感

98、，它在IGBT上產(chǎn)生的電壓尖峰，該電涌電壓可由下式估計。</p><p><b>　?。?-1）</b></p><p>　　這一部分影響可在下圖的IGBT關(guān)斷是的波形上觀察到。圖中的陰影部分顯示了關(guān)斷損耗的相對值。集電極-發(fā)射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會損壞IGBT，特別是在短路關(guān)斷操作的情況下，因為di/dt比較大。正如下圖所示，可通過增加?xùn)艠O電阻的阻值來減小Vs

99、tary。因此，消除了出于過電壓而帶來的IGBT被損壞的風(fēng)險。</p><p>　　圖12 IGBT開通和關(guān)斷波形圖</p><p>　　根據(jù)半橋配置中上臂IGBT（上部）和下管IGBT（下部）間的互鎖/死區(qū)時間，柵極電阻對延遲時間的影響要加以考慮。大的Rg(off)增加IGBT 的下降時間，這就是為什么實際的死區(qū)時間可能超過最小死區(qū)時間，這會帶來更多的直通趨勢。</p>&

100、lt;p>　　快速的導(dǎo)通和關(guān)斷會分別帶來較高的dv/dt 和di/dt，因此會產(chǎn)生更多的電磁輻射（EMI），從而可能在應(yīng)用中引起電路故障。下表顯示不同的柵極電阻值對di/dt 的影響。</p><p>　　圖13 柵極電阻導(dǎo)通和關(guān)斷時與di/dt的關(guān)系</p><p>　　下表概況了柵極電阻值的改變所帶來的IGBT 開關(guān)特性的變化：</p><p>　　表1

101、柵極電阻與IGBT開關(guān)特性的關(guān)系</p><p>　　關(guān)于柵極電阻的計算，對于低開關(guān)損耗，無IGBT 模塊振蕩，低二極管反向恢復(fù)峰值電流和最大dv/dt限制，柵極電阻必須體現(xiàn)出最佳的開關(guān)特性。</p><p>　　有關(guān)柵極電阻計算方面的要求在通常情況下，額定電流大的IGBT 模塊將采用較小的柵極電阻驅(qū)動;同樣的，額定電流小的IGBT 模塊，將需要較大的柵極電阻。一般而言，最優(yōu)的柵極電阻值將

102、介于IGBT 數(shù)據(jù)表中所列的值和大約兩倍于數(shù)據(jù)表中所列值之間。 這適用于大多數(shù)的應(yīng)用。IGBT數(shù)據(jù) 表中所指定的值是最小值；在指定條件下，兩倍于額定電流可被安全地關(guān)斷。在實際中，由于測試電路和各個應(yīng)用參數(shù)的差異，IGBT 數(shù)據(jù)表中的柵極電阻值在往往不能總得到。上面提到的大概的電阻值（即兩倍的數(shù)據(jù)表值），可被看作是優(yōu)化的起點，即以此開始減少柵級電阻值。確定最終最優(yōu)值的唯一途徑是測試和檢驗最終系統(tǒng)。在大多數(shù)的應(yīng)用中，導(dǎo)通柵極電阻Rg(on)

103、比關(guān)斷柵極電阻Rg(off)小。根據(jù)各自的參數(shù)，Rg(off)約為Rg(on)的兩倍。在應(yīng)用中使寄生電感最小很重要，尤其是在直流環(huán)節(jié)電路中。保持IGBT 關(guān)斷過電壓在IGBT 數(shù)據(jù)表的指定范圍內(nèi)是必要的，特別是在短路情況下。例如，降低短路情況下過電壓的一個簡單的方法是采用軟關(guān)斷電路。在發(fā)生短路時，軟關(guān)斷電路增大Rg(off)所在支路的阻抗，并以更慢的速度關(guān)掉IGBT。</p><p>　　4 IGBT保護電路設(shè)計

104、</p><p>　　由于IGBT是電壓控制型器件，因此只要控制ICBT的柵極電壓就可以使其開通或關(guān)斷,并且開通時維持比較低的通態(tài)壓降。研究表明,IGBT的安全工作區(qū)和開關(guān)特性隨驅(qū)動電路的改變而變化。因此,為了保證IGBT可靠工作，驅(qū)動保護電路至關(guān)重要。</p><p>　　IGBT驅(qū)動保護電路的原則為動態(tài)驅(qū)動能力強，能為柵極提供具有陡峭前后沿的驅(qū)動脈沖。開通時能提供合適的正向柵極電壓(1

105、2~15V)，關(guān)斷時可以提供足夠的反向關(guān)斷柵極電壓（-5V）。盡可能少的輸入輸出延遲時間，以提高工作效率。足夠高的輸入輸出電氣隔離特性，使信號電路與柵極驅(qū)動電路絕緣。出現(xiàn)短路、過流的情況下，具有靈敏的保護能力。目前，在實際應(yīng)用中，普遍使用驅(qū)動與保護功能合為一體的IGBT專用的驅(qū)動模塊。</p><p>　　4.1 IGBT柵極的保護</p><p>　　IGBT的柵極－發(fā)射極驅(qū)動電壓VGE

106、的保證值為±20V，如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上超出保證值的電壓，則可能會損壞IGBT，因此，在IGBT的驅(qū)動電路中應(yīng)當設(shè)置柵壓限幅電路。另外，若IGBT的柵極與發(fā)射極間開路，而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在，使得柵極電位升高，集電極－發(fā)射極有電流流過。這時若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時，可能會使IGBT發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運輸或振動過程中使得柵極回路