N2O2和N2輝光放電的中紅外激光光譜研究.pdf

1、利用輝光放電形成的含氮低溫等離子體對金屬表面進行氮化處理是一種常用的化學熱處理工藝。經過氮化處理的制品具有優(yōu)異的耐磨性、耐疲勞性、耐腐蝕性及耐高溫的特性。在含氮低溫等離子體中存在大量分子離子、自由基和激發(fā)態(tài)原子、分子等瞬態(tài)物質。對含氮低溫等離子體的激光光譜研究將有助于深入了解氮化處理過程，改進或發(fā)明新的氮化處理技術。
　　 利用中紅外速度調制技術和濃度調制技術，本文研究了N2O輝光放電形成的低溫等離子體的吸收光譜，在1722—1

2、831cm—1范圍內測量到了大量分子離子和激發(fā)態(tài)中性分子的吸收譜線。這些分子離子的吸收譜線最有可能屬于N2O+v3的振動帶，但是它們的分子載體和標識目前還不能確定。
　　 為了鑒別在N2O輝光放電中測量到的激發(fā)態(tài)中性分子，本文研究了N2輝光放電形成的低溫等離子體的吸收光譜，在1742—1846cm—1范圍內測量到了233條中性分子吸收譜線，其中有65條譜線可以標識為N2的B3Пg—W3△u躍遷的(1→0)和(2→1)兩個振動帶，