納米級電路分辨率增強技術(shù)及熱點檢測技術(shù)研究.pdf

1、遵循摩爾定律的軌跡，集成電路的發(fā)展進入納米級時代。光刻是集成電路制造的核心步驟，但是由于光源技術(shù)發(fā)展的滯后，193納米波長光刻仍然是納米級集成電路制造的主要選擇。當(dāng)集成電路發(fā)展到90納米以及以下工藝節(jié)點時，使用193納米光刻制造設(shè)計版圖會存在嚴(yán)重的光學(xué)鄰近效應(yīng)。為了彌補光學(xué)鄰近效應(yīng)，業(yè)界提出了大量的分辨率增強技術(shù)來改善光刻中的版圖失真現(xiàn)象，如光學(xué)鄰近校正技術(shù)，離軸照明技術(shù)以及浸沒式光刻技術(shù)等。但是隨著集成電路工藝節(jié)點的進一步發(fā)展，現(xiàn)有的

2、分辨率增強技術(shù)需要得到進一步的改進與創(chuàng)新。另一方面，隨著集成電路復(fù)雜度的不斷增加，即使應(yīng)用了大量的分辨率增強技術(shù)，版圖設(shè)計中仍然存在許多難以制造的熱點圖形。在設(shè)計階段找到熱點圖形以指導(dǎo)版圖設(shè)計修改的過程被稱為熱點檢測技術(shù)，它是集成電路可制造性設(shè)計技術(shù)研究的熱門領(lǐng)域之一。本文主要內(nèi)容及創(chuàng)新點集中在納米級電路分辨率增強技術(shù)以及熱點檢測技術(shù)兩個方面:
　　基于支持向量機的反向光刻版圖重定向算法。反向光刻技術(shù)又被稱為基于點的光學(xué)鄰近校正技

3、術(shù)，由于其對版圖的修改擁有更大的靈活性，因而可以獲得更好的校正結(jié)果。針對反向光刻技術(shù)優(yōu)化過程收斂緩慢、計算耗時等缺點，本文提出了一種基于支持向量機的版圖重定向算法。通過對已有優(yōu)化結(jié)果的學(xué)習(xí)得到支持向量機模型，再使用模型對版圖上的每個點進行優(yōu)化，該算法可以產(chǎn)生十分接近最終優(yōu)化版圖的重定向版圖。使用該重定向版圖作為反向光刻的初始輸入版圖，可以減少優(yōu)化的迭代次數(shù)，降低優(yōu)化時間。
　　用于光學(xué)鄰近校正的區(qū)別化層次管理方法。為了使光學(xué)鄰近校

4、正過程并行進行，減少全版圖校正需要的時間，需要采取一定的層次化管理方法將原版圖切分為子版圖并分別進行校正。為了利用版圖已有的層次化信息，本文提出了一種區(qū)別化層次管理方法。在通過相似區(qū)域識別方法將版圖的不同區(qū)域劃分為相似區(qū)域和非相似區(qū)域之后，對非相似區(qū)域采取“扁平化”層次管理，對相似區(qū)域則采取基于單元的環(huán)境識別，找出環(huán)境一致的相同單元，并對這些單元進行一次校正，結(jié)果多次復(fù)用的層次化管理。本文提出的區(qū)別化層次管理方法在保持校正精度的情況下，

5、減少了校正面積，加快了全版圖的校正速度。
　　多目標(biāo)的自對準(zhǔn)雙重圖形分解算法。雙重圖形技術(shù)是集成電路亞32納米工藝節(jié)點制造的主要解決方案之一，自對準(zhǔn)雙重圖形技術(shù)由于在避免重疊誤差影響上的天然優(yōu)勢引起了研究者的廣泛關(guān)注。圖形分解是將自對準(zhǔn)雙重圖形技術(shù)用于二維版圖制造的關(guān)鍵步驟，本文提出了一種多目標(biāo)的自對準(zhǔn)雙重圖形分解算法。該算法通過對原有的基于可滿足性問題的算法增加更多的約束得到了優(yōu)化的分解結(jié)果，包括以下幾個方面:通過基于圖論的版圖

6、預(yù)分解改善了核心掩模版圖的密度分布;通過限制特定邊的成像方式減少了成像圖形邊界受到重疊誤差影響的比例，并完全禁止了剪切掩模邊界和側(cè)墻外邊界的同向重疊，避免了在重疊誤差的情況下出現(xiàn)原始版圖中沒有圖形的錯誤;通過限制邊的最小長度降低了分解結(jié)果版圖的復(fù)雜度。
　　改進的基于機器學(xué)習(xí)的熱點檢測算法?；跈C器學(xué)習(xí)的熱點檢測方法由于較高的檢測速度和檢測未知熱點的能力成為熱點檢測研究的熱門方向。為了進一步增加基于機器學(xué)習(xí)的熱點檢測方法的檢測速度