雪崩光電二極管的邊擊穿抑制及過剩噪聲因子測試.pdf

1、雪崩光電二極管具有內(nèi)部增益、高靈敏度等特性，目前在量子保密通信、國防、天文探測和其他光通信領(lǐng)域得到了越來越廣泛的關(guān)注。雪崩光電二極管的應用發(fā)展受到噪聲的影響，其主要來源是散粒噪聲，散粒噪聲對APD信噪比有很大的影響，而信噪比的主要影響因素是暗電流和APD特有的過剩噪聲。本文分別對APD暗電流和過剩噪聲特性進行了模擬仿真和實驗測試研究，對高速低噪聲APD的研制具有指導意義。
　　首先，我們研究了APD電場分布對暗電流的影響。針對目前

2、應用比較廣泛的平面型InGaAs/InP APD存在的邊緣提前擊穿問題，我們通過COMSOL半導體模塊仿真對已存在的一種抑制邊緣提前擊穿的方法即添加深保護環(huán)法進行了更深入的研究，研究了深保護環(huán)的深度、位置對APD暗電流的影響，發(fā)現(xiàn)在低偏壓下深保護環(huán)的深度對APD的暗電流有一定的影響，但隨著偏壓增大差異逐漸減小，而改變深保護環(huán)與中央結(jié)的距離對APD的暗電流基本沒有影響，并利用深保護環(huán)的優(yōu)勢將其應用到垂直入射平面型Si/Ge APD里，從而