雪崩型光電二極管陣列器件的設計與分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在低光照情況下，固體圖像傳感器的晶體管存在著噪聲，為了克服這個問題，可以利用雪崩效應產生大量電子-空穴對來提高固體圖像傳感器的探測率。雪崩光電二極管(Avalanche Photon-diode，簡稱APD)是一種利用雪崩增益獲得較高探測效率的光電器件，在弱光場探測、光子計數(shù)等相關領域有著相當廣泛的應用。瑞士聯(lián)邦技術學院電子學實驗室采用1.2μm標準BiCMOS工藝研制成功了雪崩光電二極管圖像傳感器(APDIS)。 本文主要研究

2、這種基于BiCMOS技術的APD圖像傳感器。簡單介紹CCD和CMOS圖像傳感器的研究現(xiàn)狀和發(fā)展水平，目前，固體圖像傳感器的噪聲問題是制約其實現(xiàn)微光探測的主要因素：研究了APD的主要特性和工作模式，對APD PN結的擊穿特性做了分析與研究，分析了PN結雪崩擊穿的條件和影響雪崩擊穿電壓的因素；建立了一般光電二極管和雪崩光電二極管的噪聲模型，分析了它們的噪聲特性，雪崩增益大大提高了APD的信噪比和探測率。 本文利用數(shù)值計算原理分析半導

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